NVMFD027N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFD027N10MCLT1G
Price: 16.32 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VMFD027N10MCLT1G

制造商编号：

NVMFD027N10MCLT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

数据表:

NVMFD027N10MCLT1G 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	138 A
Rds On-漏源导通电阻:	35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	11 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	164 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Dual
下降时间:	3.2 ns
正向跨导 - 最小值:	27 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	2.5 ns
系列:	NVMFD027N10MCL
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	7 ns

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数据表

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PCN

Product Change Notification 2026-7-9 (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 马来西亚
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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