NVMFD027N10MCLT1G

onsemi
863-VMFD027N10MCLT1G
NVMFD027N10MCLT1G

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

数据表:
ECAD模型:
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库存量: 777

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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
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定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥16.6223 ¥16.62
¥10.6672 ¥106.67
¥7.1868 ¥718.68
¥5.7178 ¥2,858.90
¥5.0172 ¥5,017.20
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥5.0172 ¥7,525.80

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
2 Channel
100 V
138 A
35 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
11 nC
- 55 C
+ 175 C
164 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Dual
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: MY
下降时间: 3.2 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 2.5 ns
系列: NVMFD027N10MCL
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NVMFD027N10MCL双N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFD027N10MCL双N沟道功率MOSFET是一款100V、28A、26mΩ汽车用功率MOSFET，设计用于紧凑高效的设计。该器件符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，采用5mm x 6mm扁平引线封装，具有可湿性侧翼选项，可用于增强型光学检测。安森美 (onsemi) NVMFD027N10MCL MOSFET具有高热性能和低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗。

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