onsemi NVMFS024N06C单N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFS024N06C单N沟道功率MOSFET具有紧凑的设计,占位面积较小 (5mm x 6mm)。安森美 (onsemi) NVMFS024N06C MOSFET非常适合空间利用率高的应用,并且R
DS(on)值较低。该MOSFET可将导通损耗降至最低,确保电源管理效率高。此外,低QG和电容有助于最大限度地降低驱动器损耗。
特性
- 低QG和电容
- 低RDS(on)
- 占位面积小 (5mm x 6mm)
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令
相关MOSFET
符合AEC−Q101标准的MOSFET,可为汽车应用提供紧凑高效的解决方案。
采用5mm x 6mm扁平引线和双面冷却封装,非常适合紧凑高效的设计。
发布日期: 2024-02-14
| 更新日期: 2025-11-11