onsemi NVMFS5832NL单N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFS5832NL单N通道功率MOSFET是专为低电压应用设计的高性能MOSFET，可实现高效的电源切换。安森美 (onsemi) NVMFS5832NL基于先进的沟槽技术打造，在VGS=10V时，具有低至4.2mΩ的卓越RDS(on)表现，因而能够降低导通损耗、提高热性能。该MOSFET的最大漏源电压为40V，漏极连续电流额定值高达120A，非常适合DC-DC转换器、同步整流及电机控制等严苛环境。紧凑的5mm x 6mm Power DFN封装确保了大功率密度和卓越的散热性能，而设备的低栅极电荷支持快速切换，从而在高频设计中提升效率。
特性
- 40V、4.2mΩ、120A设备
- DFN5 (SO-8FL) 488AA样式1封装
- 占位面积小 (5mm x 6mm)，用于紧凑型设计
- 低RDS(on)，可将导通损耗降至最低
- 低QG和低电容值，可将驱动损耗降至最低
- 可湿性侧翼产品
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅，符合RoHS标准
应用
- 发动机控制模块
- 车身控制模块
- 底盘控制模块
规范
- 最大漏极到源极电压：40V
- 最大栅极到源极电压：±20V
- 最大脉冲漏极电流：557A
- 最大二极管体源电流：120A
- 最大单脉冲漏极到源极雪崩能量：134mJ
- 关态特性
- 最小源漏击穿电压：40V
- 典型源漏击穿电压温度系数：34.2mV/°C
- 最大零栅极电压漏极电流范围：1µA至100µA
- 最大栅源漏电流：±100nA
- 通态特性
- 栅极阈值电压范围：1.4V至2.4V
- 典型负阈值温度系数：6.4mV/°C
- 最大漏极到源极导通电阻范围：4.2mΩ至6.5mΩ
- 典型正向跨导：21S
- 典型电容
- 2700 pF输入
- 360 pF输出
- 反向传输：250 pF
- 典型充电/电荷
- 总计栅极电荷范围：25nC至51nC
- 阈值栅极电荷：2.0nC
- 栅极到源极：8.0nC
- 栅极到漏极：12.7nC
- 典型高原电压：3.2V
- 开关特性
- 开通延迟时间：13ns
- 24 ns 上升时间
- 关断延迟时间：27ns
- 8.0 ns 下降时间
- 漏极-源极二极管特性
- 最大正向二极管电压：1.2V
- 反向恢复时间：28.6 ns（典型值）
- 典型充电时间：14ns
- 典型放电时间：14.5ns
- 典型反向恢复电荷：23.4nC
- 热阻
- 稳定状态下，结温至安装板（顶部）的温升：1.2°C/W
- 稳定状态下，结温至环境的温升：40°C/W
- 工作结温范围：-55 °C至+175 °C
- 最大引线焊接温度：+260°C
原理图
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发布日期: 2025-11-11
| 更新日期: 2025-11-19