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onsemi NVMFWS003N10MC单N沟道功率MOSFET

安森美半导体NVMFWS003N10MC单N沟道功率MOSFET具有169A连续漏极电流、10V时RDS(ON) 为3.1mΩ，以及100V漏极－源极电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm扁平引线封装，开发用于紧凑高效的设计。安森美半导体符合AEC-Q101标准的MOSFET具有PPAP功能，非常适合用于汽车应用。

特性

  • 占位面积小(5mm x 6mm)，设计紧凑
  • 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
  • 低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
  • 可湿性侧翼产品
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅、无卤/无BFR、无铍，符合RoHS指令

应用

  • 48V系统
  • 开关电源
  • 反向电池保护
  • 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、H桥等）

规范

  • 连续漏极电流: 169A（最大值）
  • RDS(ON) ：10V时3.1mΩ或4.5V时3.8mΩ（最大值）
  • 漏极-源极电压：100V
  • 栅极-源极电压：±20V
  • 脉冲漏极电流：900A
  • 工作结温和存储温度范围： -55°C至175°C

典型应用

应用电路图 - onsemi NVMFWS003N10MC单N沟道功率MOSFET
发布日期: 2024-01-03 | 更新日期: 2024-01-11