onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款单N沟道STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。该器件具有40V漏极-源极电压、154A连续漏极电流，符合AEC-Q101标准。安森美 (onsemi) NVMFWS1D7N04XM MOSFET具有低电容和低RDS(on)，可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS1D7N04XM采用5mmx6mm的小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 占位面积小（5mmx6mm），设计紧凑
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 电机驱动
- 电池保护
- 同步整流
规范
- 40 V漏源电压
- 连续漏极电流：154A
- 漏极-源极导通电阻：1.65mΩ（VGS = 10V时）
封装样式
发布日期: 2025-04-03
| 更新日期: 2025-04-17