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NVMFWS1D7N04XM MOSFET - onsemi
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onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
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安森美NVMFWS1D7N04XM MOSFET是一款单N沟道STD栅极MOSFET,采用SO8FL封装。该器件具有40V漏极-源极电压、154A连续漏极电流,符合AEC-Q101标准。安森美 (onsemi) NVMFWS1D7N04XM MOSFET具有低电容和低R
DS(on)
,可最大限度地降低驱动器和导通损耗。NVMFWS1D7N04XM采用5mmx6mm的小尺寸封装,非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流。
特性
低R
DS(on)
,可最大限度地降低导通损耗
低电容,可最大限度地降低驱动器损耗
占位面积小(5mmx6mm),设计紧凑
符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
无铅、无卤/无BFR,符合RoHS指令
应用
电机驱动
电池保护
同步整流
规范
40 V漏源电压
连续漏极电流:154A
漏极-源极导通电阻:1.65mΩ(V
GS
= 10V时)
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发布日期: 2025-04-03 | 更新日期: 2025-04-17