onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、80A连续漏极电流以及3.9mΩ漏极-源极电阻（10V时）。安森美NVMFWS4D0N04XM MOSFET采用SO-8FL 5mmx6mm小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流应用。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 低电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 占位面积小（5mmx6mm），设计紧凑
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 无铅、无卤/无BFR，符合RoHS指令
应用
- 电机驱动
- 电池保护
- 同步整流
规范
- 40 V漏源电压
- 漏极-源极导通电阻：3.9mΩ（10V时）
- 连续漏极电流：80A
瞬态热响应
封装样式
发布日期: 2025-04-10
| 更新日期: 2025-04-17