NVMFWS4D0N04XMT1G

onsemi
863-VMFWS4D0N04XMT1G
NVMFWS4D0N04XMT1G

制造商：

说明：
MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

寿命周期:
新产品:
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数据表:
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库存量: 2,758

库存：
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最少： 1   倍数： 1   最多： 170
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥7.6049 ¥7.60
¥4.9155 ¥49.16
¥4.0341 ¥403.41
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
¥4.0341 ¥6,051.15

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFNW-5
N-Channel
1 Channel
40 V
80 A
3.9 mOhms
20 V
3.5 V
12 nC
- 55 C
+ 175 C
43 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 32 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 8 ns
系列: NVMFWS4D0N04XM
工厂包装数量: 1500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
找到的产品:
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
日本
组装原产国/地区:
马来西亚
扩散国家:
日本
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMFWS4D0N04XM MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、80A连续漏极电流以及3.9mΩ漏极-源极电阻（10V时）。安森美NVMFWS4D0N04XM MOSFET采用SO-8FL 5mmx6mm小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流应用。

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