NVMFWS4D0N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS4D0N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFWS4D0N04XMT1G
Price: 11.79 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-VMFWS4D0N04XMT1G

制造商编号：

NVMFWS4D0N04XMT1G

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET 40V T10M IN SO8FL PACKAGE

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

NVMFWS4D0N04XMT1G 数据表 (PDF)

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数量	单价	总价
	¥13.3227	¥13.32
	¥8.4411	¥84.41
	¥5.5596	¥555.96
	¥4.3957	¥2,197.85
	¥4.0906	¥4,090.60
整卷卷轴（请按1500的倍数订购）
	¥3.6273	¥5,440.95

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-5
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	12 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	43 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	32 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	NVMFWS4D0N04XM
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	10 ns
典型接通延迟时间:	7 ns

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数据表

NVMFWS4D0N04XMT1G 数据表 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS4D0N04XM MOSFET

安森美 (onsemi) NVMFWS4D0N04XM MOSFET具有低R_DS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的封装。该MOSFET具有40V漏极-源极电压、80A连续漏极电流以及3.9mΩ漏极-源极电阻（10V时）。安森美NVMFWS4D0N04XM MOSFET采用SO-8FL 5mmx6mm小尺寸封装，非常适用于电机驱动、电池保护和同步整流应用。