onsemi NVMJST1D3N04C功率N沟道MOSFET
安森美NVMJST1D3N04C功率N沟道MOSFET采用TCPAK5x7封装，实现紧凑、高效的设计和较高的散热性能。NVMJST1D3N04C符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。安森美NVMJST1D3N04C MOSFET非常适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。
特性
- 占位面积小（5mmx7mm），设计紧凑
- 低导通电阻 (RDS(on))，可最大限度地降低导通损耗
- 栅极电荷 (QG) 和电容较小，可使驱动器损耗最小化
- TCPAK57 5mmx7mm顶部冷却封装
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 这些器件无铅，符合RoHS规范
应用
- 电源开关
- 高侧驱动器
- 低侧驱动器
- 半桥
- 反向电池保护
- 开关电源
规范
- 40 V漏源电压
- 栅极-源极电压：±20V
- 连续漏极电流：386A
- 漏极-源极导通电阻：1.39莫姆（10V时）
封装类型
热特性
发布日期: 2024-05-16
| 更新日期: 2024-06-07