onsemi NVMTSC1D3N08M7单N通道功率MOSFET

安森美半导体NVMTSC1D3N08M7单N通道功率MOSFET是一款采用高效设计的紧凑型汽车用功率MOSFET,具有较高的热性能。该功率MOSFET具有低电容和可湿性侧翼电镀选项,能够进行增强型光学检测。NVMTSC1D3N08M7 MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能,采用8mm x 8mm扁平引线封装,占位面积小。该器件非常适合用于反向电池保护、开关电源、高侧驱动器、低侧驱动器、H桥和其他汽车应用。

特性

  • 紧凑型设计
  • 最大限度降低导通损耗
  • 最大限度降低驱动器损耗
  • 小尺寸:8mm x 8mm
  • 低RDS(on)
  • 低QG和电容
  • 可湿性侧翼电镀选项,用于增强型光学检测
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 符合汽车标准
  • 符合RoHS指令

应用

  • 电源开关:
    • 高侧驱动器
    • 低侧驱动器
    • H桥
  • 反向电池保护
  • 开关电源

规范

  • 击穿电压:80VDS
  • 连续漏极电流:348A
  • 漏极-源极电阻:1.25mΩ
  • 栅极电荷:196nC
  • 功率损耗:5.1W
  • 工作温度范围:-55°C至175°C
发布日期: 2019-12-05 | 更新日期: 2024-01-31