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NVMTSC1D3N08M7TXG

Name: onsemi NVMTSC1D3N08M7TXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMTSC1D3N08M7TG
Price: 52.7 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NVMTSC1D3N08M7TG

制造商编号：

NVMTSC1D3N08M7TXG

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION

数据表:

NVMTSC1D3N08M7TXG 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFNW-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	348 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	196 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	5.1 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
配置:	Single
下降时间:	32.8 ns
正向跨导 - 最小值:	253 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	29 ns
系列:	NVMTSC1D3N08M7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	80.9 ns
典型接通延迟时间:	39.9 ns
单位重量:	319.280 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

NVMTSC1D3N08M7TXG 数据表

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 菲律宾
组装原产国/地区:: 菲律宾
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NVMTSC1D3N08M7单N通道功率MOSFET

安森美半导体NVMTSC1D3N08M7单N通道功率MOSFET是一款采用高效设计的紧凑型汽车用功率MOSFET，具有较高的热性能。该功率MOSFET具有低电容和可湿性侧翼电镀选项，能够进行增强型光学检测。NVMTSC1D3N08M7 MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，采用8mm x 8mm扁平引线封装，占位面积小。该器件非常适合用于反向电池保护、开关电源、高侧驱动器、低侧驱动器、H桥和其他汽车应用。