onsemi NVMYS4D5N04C单N沟道功率MOSFET

安森美半导体  NVMYS4D5N04C单N沟道功率MOSFET设计用于汽车应用，采用5mm x 6mm LFPAK封装。安森美半导体  NVMYS4D5N04C有助于实现紧凑高效的设计，同时确保较高的散热性能。这些MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能，适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。