onsemi NVMYS4D6N06C N 沟道 MOSFET
安森美 (onsemi) NVMYS4D6N06C N沟道MOSFET是一款60V单N沟道PowerTrench® T6 MOSFET，专为紧凑高效的功率开关应用而设计。该器件采用LFPAK Power 56封装，具有增强的热性能，适用于需要大电流能力且占位面积较小的设计。NVMYS4D6N06C通过低导通电阻减少导通损耗，通过低栅极电荷与低电容将驱动损耗降至最低。该MOSFET通过AEC-Q101认证且支持PPAP，适用于需要增强型板级可靠性的汽车应用。
安森美 (onsemi) NVMYS4D6N06C N沟道MOSFET专为功率开关应用而设计，其中包括高低侧驱动器和H桥设计。NVMYS4D6N06C采用LFPAK-4封装，工作结温及存放温度范围均为-55°C至+175°C。
特性
- 单N沟道PowerTrench T6 MOSFET，适用于功率开关应用
- 增强热性能，适用于高效汽车功率设计
- 低RDS(on)，有助于将导通损耗降至最低
- 低栅极电荷与低电容有助于降低驱动损耗
- 通过AEC-Q101认证且支持PPAP，适用于汽车应用
- 提供无铅及RoHS合规器件选项
应用
- 功率开关
- 高侧驱动器
- 低侧驱动器
- 半桥
- 汽车
规范
- 漏源电压：60V
- 最大RDS(ON)：4.7mΩ（VGS = 10V时）
- 漏极连续电流：92A（TC = 25°C时）
- 漏极连续电流：65A（TC = 100°C时）
- 栅源电压：±20V
- 典型总栅极电荷：19nC（VGS = 10V时）
- 典型输入电容：1530pF
- 典型输出电容：1095pF
- 典型反向传输电容：7pF
- 单脉冲漏源雪崩能量：524mJ
- 结至壳热阻：1.89°C/W
- 工作结温与存放温度范围：-55°C至+175°C
- 包装
- LFPAK-4 Power 56封装
- 5 mm x 6 mm 封装
封装形式
发布日期: 2026-07-09
| 更新日期: 2026-07-15