onsemi NVTFS5826NL单N沟道MOSFET

安森美 (onsemi) NVTFS5826NL单N沟道MOSFET采用3.3mmx3.3mm扁平引线封装,设计紧凑且高效,具有较高的热性能。 这款N沟道MOSFET具有低导通电阻(可将导通损耗降至最低)、低电容(可将驱动损耗降至最低)和大电流能力。NVTFS5826NL MOSFET提供可润湿侧翼选项,可增强光学检测能力。这款N沟道MOSFET通过AEC-Q101认证,且具备PPAP能力。NVTFS5826NL MOSFET不含铅,符合RoHS标准。该N沟道MOSFET适用于汽车应用,例如电机驱动器、电磁阀驱动器和照明驱动器。

特性

  • 低RDS(on)值,可最大限度降低导通损耗
  • 低电容,可最大限度地降低驱动器损耗
  • 大电流能力
  • 100% 经雪崩测试
  • 可湿性侧翼
  • 占位面积小(3.3mmx3.3mm),可实现紧凑设计
  • 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
  • 无铅
  • 符合RoHS标准

应用

  • 电机驱动器
  • 电磁驱动器
  • 灯驱动器

N 沟道

onsemi NVTFS5826NL单N沟道MOSFET
发布日期: 2025-11-07 | 更新日期: 2025-12-29