onsemi NXH010P90MNF1 SiC模块
安森美半导体 NXH010P90MNF1 SiC模块在F1模块中包含一个10mΩ 900V SiC MOSFET半桥和一个NTC 热敏电阻。该模块的推荐栅极电压为15 V至18 V。NXH010P90MNF1在较高电压和低热阻下具有改进的R
DS (ON) 。
特性
- 推荐栅极电压:15 V至18 V
- 在较高电压下改进了RDS (ON)
- 低热阻
- 效率更高或功率密度更高
- 可选择有TIM或无TIM
- 用于高可靠性热接口的灵活解决方案
应用
- 交流-直流转换
- 电动汽车充电器
- 直流-交流转换
- 储能系统
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可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。
发布日期: 2022-05-11
| 更新日期: 2024-06-18