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onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块

安森美 (onsemi) NXH015F120M3F1PTG碳化硅 (SiC) 模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥拓扑结构和带Al2O3 DBC陶瓷基板的热敏电阻，封装为F1型。该电源模块的特点是具有栅极源电压+22V/-10V、77A漏极连续电流（在TC = 80°C时（TJ = 175°C）、198W最大功率耗散和12.7mm爬电距离。NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET提供预涂热界面材料（TIM）和无预涂热界面材料。该SiC模块无铅、无卤化物，符合RoHS标准。典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站和工业电源。

特性

  • 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET全桥
  • 三氧化二铝 (Al2O3) DBC陶瓷基板
  • 包括热敏电阻
  • 可选择预涂导热接口材料（TIM）和无预涂TIM选项
  • 压配引脚
  • 无铅
  • 不含卤素
  • 符合RoHS标准

应用

  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 电动汽车充电站
  • 工业电源

规范

  • 1200 V漏源电压
  • +22V/-10V栅极源电压
  • TC = 80°C时（TJ = 175°C），漏极连续电流为77A
  • 198W最大功率耗散
  • 工作温度范围：-40 °C至75 °C
  • 12.7 mm 爬电距离

典型特性

性能图表 - onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块

原理图

原理图 - onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块

尺寸图

机械图纸 - onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
发布日期: 2025-05-14 | 更新日期: 2025-07-17