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onsemi NXH0x0F120MNF1碳化硅MOSFET

onsemi STR-ECS640A-GEVK评估套件用于评估ecoSpin电机控制器ECS640A及其主要特性。这些MOSFET具有热敏电阻和压配引脚。 NXH0x0F120MNF1模块采用预涂热界面材料（TIM），无需预涂TIM选项。这些混合模块非常适合用于太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站以及工业电源等应用。NXH0x0F120MNF1模块无铅、无卤，符合RoHS指令。这些模块的储存温度范围为-40°C至150°C，工作结温范围为-40°C至175°C。 

特性

  • 40m/1200V SiC MOSFET半桥 (NXH040F120MNF1)
  • 20m/1200V SiC MOSFET半桥 (NXH020F120MNF1)
  • 热敏电阻器
  • 压配引脚
  • 有带预涂热界面材料 (TIM) 和不带预涂TIM的选项可供选择
  • 这些器件无铅无卤，且符合RoHS指令

规范

  • 储存温度范围：-40°C至+150°C
  • 最低工作结温：-40°C
  • 最高工作结温：+175°C
  • 模块工作结温范围：-40°C至+175°C

应用

  • 太阳能逆变器
  • 不间断电源
  • 电动汽车充电站
  • 工业电源

原理图

原理图 - onsemi NXH0x0F120MNF1碳化硅MOSFET

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onsemi EliteSiC

可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。

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物料编号 制造商名称 描述 数据表
NXH007F120M3F2PTHG onsemi MOSFET模块 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE NXH007F120M3F2PTHG 数据表
NXH011F120M3F2PTHG onsemi MOSFET模块 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE NXH011F120M3F2PTHG 数据表
NXH020F120MNF1PTG onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM NXH020F120MNF1PTG 数据表
NXH040F120MNF1PTG onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM NXH040F120MNF1PTG 数据表
NXH020F120MNF1PG onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET NXH020F120MNF1PG 数据表
NXH040F120MNF1PG onsemi MOSFET模块 SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET NXH040F120MNF1PG 数据表
发布日期: 2022-04-07 | 更新日期: 2024-06-18