onsemi NXH600B100H4Q2F2S1G Si/SiC混合模块
安森美（onsemi） NXH600B100H4Q2F2S1G硅/碳化硅混合模块是一款三通道快速电容器升压模块。每个通道均包含两个1000V、200A IGBT和两个1200V、60A碳化硅二极管。该模块还包含一个NTC热敏电阻。应用包括太阳能逆变器和不间断电源系统。
特性
- 采用Q2封装的3通道升压
- 极其高效的沟槽，采用场终止型技术
- 低开关损耗可降低系统功耗
- 该模块设计具有高功率密度
- 低电感布局
- 无铅
应用
- 太阳能逆变器
- 不间断电源系统
- MPPT升压级
规范
- IGBT（T11、T12、T21、T22、T31、T32）
- 最大集电极-发射极电压：1000 V
- 最大栅极-发射极电压：±20V
- 最大正向瞬态栅极-发射极电压：30V
- 最大集电极连续电流：173 A
- 最大脉冲峰值集电极电流：519A
- 最大功耗：422W
- IGBT反向二极管（D11、D12、D21、D22、D31、D32）
- 最大重复反向峰值电压：1200V
- 最大连续正向电流：66A
- 最大重复峰值正向电流：98A
- 最大功耗：101W
- 碳化硅肖特基二极管（D13、D14、D23、D24、D33、D34）
- 最大重复反向峰值电压：1200V
- 最大连续正向电流：63A
- 最大重复峰值正向电流：189A
- 最大功耗：204W
- 启动二极管（D15、D25、D35）
- 最大重复反向峰值电压：1200V
- 最大连续正向电流：35A
- 最大重复峰值正向电流：105A
- 最大功耗：84W
- 最大爬电距离：12.7mm
- 温度范围
- 结温范围：-40°C至+175°C
- 开关工况下的运行：-40°C至+150°C
原理图
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发布日期: 2024-01-30
| 更新日期: 2024-06-18