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onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT功率模块

安森美 NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT功率模块是1200V、800A额定半桥IGBT功率模块。这些模块集成了场终止型沟槽7 IGBT和Gen 7二极管，具有低导通损耗和开关损耗。这使设计人员能够实现高效率和出色的可靠性。典型应用包括电机驱动器、伺服驱动器、商用农业车辆（CAV）、太阳能驱动器和UPS。

安森美NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT模块设计采用隔离式基板和低电感布局。这些IGBT模块非常适用于电机驱动器、伺服驱动器、太阳能驱动器和不间断电源系统（UPS）。

特性

  • 集电极-发射极电压（VCES）：1200V
  • 集电极连续电流（IC）：800A
  • 二合一半桥配置IGBT功率模块
  • 场终止型沟槽7 IGBT和Gen 7二极管
  • NTC热敏电阻
  • 隔离式基板
  • 可焊接引脚
  • 低电感布局
  • 无铅设备

应用

  • 电机驱动器
  • 伺服驱动器
  • 商用车辆（CAV）
  • 太阳能驱动器
  • UPS

原理图

原理图 - onsemi NXH800H120L7QDSG QDual3 IGBT功率模块

数据手册

发布日期: 2024-07-29 | 更新日期: 2025-05-14