onsemi NxJS3151P单P沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET是高性能MOSFET，设计用于高效开关应用。这些安森美 (onsemi) MOSFET采用紧凑的SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm封装，在-4.5V时提供仅45mΩ的RDS(on)，从而降低了导通损耗，并提高了热性能。NxJS3151P设备的最大漏极电流为-3.3A，漏源电压额定值为-12V，非常适合用于便携式和电池供电设备中的负载开关。超低栅极电荷和快速开关特性有助于提高能效，使安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET成为功率密度和可靠性至关重要的空间受限设计的理想选择。
特性
- 领先的沟槽技术，实现低RDS(ON)，延长电池寿命
- SC-88小外形（2mm x 2mm，SC70-6等效）封装
- 栅极二极管，用于ESD保护
- NV前缀适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用；符合AEC-Q100标准并具备PPAP功能
- 无铅、无卤素/无BFR，符合RoHS标准
应用
- 高侧负载开关
- 手机、计算、数码相机、MP3和PDA
规范
- 关态特性
- 最小漏源击穿电压：-12V
- 典型漏源击穿电压温度系数：10mV/°C
- 零栅极电压漏极电流
- -1.0 µA 下为 +25 °C
- 典型值 -2.5 µA（+125 °C 下）
- 栅源泄漏电流
- 最大值：±1.5µA（±4.5VGS 时）
- 最大值：±10mA（±12VGS 时）
- 通态特性
- 栅极阈值电压范围：-0.40V至-1.2V
- 典型负阈值温度系数：-3.4mV/°C
- 最大漏源导通电阻范围：60mΩ至160mΩ
- 典型正向跨导：15S
- 电荷和电容
- 典型输入电容：850pF
- 典型输出电容：170pF
- 典型反向传输电容：110pF
- 典型总栅极电荷：8.6nC
- 典型栅源电荷：1.3nC
- 典型栅漏电荷：2.2nC
- 典型栅极电阻：3000Ω
- 开关特性
- 典型接通延迟时间：0.86µs
- 典型上升时间：1.5µs
- 典型关闭延迟时间：3.5µs
- 典型下降时间：3.9µs
- 典型RDS(on) 范围：45mΩ（-4.5V时）至133mΩ（-1.8V时）
- 最大源漏电压：±12V
- 最大漏极连续电流范围：-2.7A至-3.3A
- 最大功率耗散：0.625W
- 典型二极管正向电压范围：-0.7V至-0.85V
- 最大体二极管源电流：-0.8A
- 最大热阻
- 结温至环境温度稳态热阻：200°C/W
- 结温至环境温度热阻：141°C/W
- 结温至引线稳态热阻：102°C/W
- 温度
- 工作结温范围：-55 °C至+150 °C
- 引脚焊接最大温度：+260°C
原理图
发布日期: 2025-08-29
| 更新日期: 2025-09-04