NxJS3151P单P沟道功率MOSFET

安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET是高性能MOSFET，设计用于高效开关应用。这些安森美 (onsemi) MOSFET采用紧凑的SC-88 (SOT-363) 2mm x 2mm封装，在-4.5V时提供仅45mΩ的RDS(on)，从而降低了导通损耗，并提高了热性能。NxJS3151P设备的最大漏极电流为-3.3A，漏源电压额定值为-12V，非常适合用于便携式和电池供电设备中的负载开关。超低栅极电荷和快速开关特性有助于提高能效，使安森美 (onsemi) NxJS3151P单P沟道功率MOSFET成为功率密度和可靠性至关重要的空间受限设计的理想选择。

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
onsemi MOSFET 12V 3.3A P-Channel
数据表
12,925库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET NFET SO8FL 12V 3.3A 60MOHM
数据表
2,400库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 2.7 A 160 mOhms - 12 V, 12 V 1.2 V 8.6 nC - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET 12V 3.3A P-Channel
数据表
产品评论
2,890库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

Si SMD/SMT SC-88-6 P-Channel 1 Channel 12 V 3.3 A 133 mOhms - 12 V, 12 V - 55 C + 150 C 625 mW Enhancement Reel, Cut Tape