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onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

安森美 (onsemi) NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET是高性能650V 碳化矽（SiC）MOSFET，具有23mΩ典型RDS(on)和出色的散热和开关特性。这些MOSFET具有低有效输出电容、高效率、快速切换和超低栅极电荷。NxT2023N065M3S MOSFET支持高达72A连续漏极电流，并且可在-55°C至175°C宽温度范围内工作。这些MOSFET符合RoHS标准，不含卤素，封装在紧凑型T2PAK-7L封装中。NVT2023N065M3S EliteSiC MOSFET符合AEC-Q101标准，是EV/HEV平台车载充电器和DC-DC转换器等车规级应用的理想选择。NTT2023N065M3S EliteSiC MOSFET适用于SMPS、太阳能逆变器、UPS、储能系统和EV充电基础设施。

特性

  • 典型RDS(on) = 23mΩ（VGS = 18V时）
  • 低有效输出电容
  • 超低栅极电荷
  • NVT2023N065M3S符合AEC-Q101标准
  • 100%经UIS测试
  • 无卤、符合RoHS标准（豁免条款7a）
  • 无铅2LI（二级互连层）
  • T2PAK-7L，采用CASE 763AC封装

应用

  • NTT2023N065M3S：
    • 专为工业应用而设计，如：
      • 开关模式电源 (SMPS)
      • 太阳能逆变器
      • 不间断电源(UPS)
      • 储能系统
      • EV充电基础设施
  • NVT2023N065M3S：
    • 车规级认证（符合AEC-Q101标准）：
      • 车载和非车载EV充电器
      • EV/HEV系统的车规级DC-DC转换器

规范

  • 650 V漏源电压
  • 栅源电压：-8V/+22V
  • 漏极连续电流：72A（25°C时）/53A（100°C时）
  • 耗散功率：288W（TC = 25°C时）
  • 脉冲漏极电流：174 A
  • 热阻（RJC）：0.52°C/W
  • 超低栅极电荷：74nC
  • 在25°C时，导通延迟为24ns、关断延迟为50ns
  • 低导通/关断开关损耗：EON = 98µJ、EOFF = 29µJ
  • 宽工作温度范围：-55 °C至+175 °C

电路图

应用电路图 - onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

尺寸图

机械图纸 - onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET

数据手册

发布日期: 2025-10-30 | 更新日期: 2025-12-04