onsemi NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET
安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H桥功率MOSFET模块专为汽车及工业环境中要求严苛的功率转换应用而设计。安森美 (onsemi) NXVF6532M3TG01采用先进的碳化硅（SiC）技术，具备卓越的效率、快速开关能力和强大的热性能。 该模块集成四个32mΩ 的SiC MOSFET，采用H桥配置，极其适合车载充电器（OBC）、直流-直流转换器及电动汽车（EV）动力总成系统应用。 该器件采用紧凑型APM16封装，集成温度传感功能，支持大功率密度及可靠的热管理。 NXVF6532M3TG01符合AEC-Q101/Q200及AQG324认证要求，在严苛工作环境下可确保汽车级的可靠性与性能。
特性
- 650V 32mΩ SiC MOSFET模块，采用Al2O3 DBC
- 带SIP的H桥模块，用于车载充电器（OBC）
- 爬电/间隙距离符合IEC60664-1、IEC 60950-1标准
- 紧凑型设计，实现低模块总电阻
- 模块序列化，确保全程可追溯
- 汽车级功率模块16（APM16）封装，尺寸为40.10mm×21.90mm×4.50mm，间距1.90mm，外壳型号829AA
- 阻燃等级：UL 94V-0
- 无铅，符合RoHS标准
- 符合AEC-Q101/Q200和AQG324车规级标准
应用
- PFC/DC-DC转换器，用于电动汽车（EV）车载充电器
- EV动力总成系统
- 工业电机驱动器
- 可再生能源系统
规范
- 最大漏源电压：650V
- 最大栅源电压范围：-8V至+22V
- 栅源电压最大推荐工作范围：-3V至+18V
- 最大漏极连续电流：31A
- 最大功率耗散：65.2W
- 最大脉冲漏极电流：165A
- 最大体二极管源电流：14.5A
- 最大单脉冲漏源雪崩能量：139mJ
- 工作结温范围：-55°C至+175°C
- 热阻
- 最大结壳热阻为2.3°C/W，典型值为1.74°C/W
- 典型结至散热器热阻为2.43°C/W
引脚配置和原理图
尺寸
发布日期: 2025-07-29
| 更新日期: 2025-08-08