特性
- 典型导通电阻
- UHB100SC12E1BC3N RDS(on) = 9.4mΩ
- UHB50SC12E1BC3N RDS(on) = 19mΩ
- UFB25SC12E1BC3N RDS(on) = 35mΩ
- UFB15C12E1BC3N RDS(on) = 70mΩ
- 出色的反向恢复性能
- UFB15C12E1BC3N Qrr = 140nC
- UFB25SC12E1BC3N Qrr = 244nC
- UHB50SC12E1BC3N Qrr = 495nC
- UHB100SC12E1BC3N Qrr = 1000nC
- 低体二极管电压
- UHB50SC12E1BC3N VFSD= 1.2V
- UHB100SC12E1BC3N、UFB15C12E1BC3N、UFB25SC12E1BC3N VFSD = 1.4V
- 低栅极电荷
- UFB25SC12E1BC3N QG = 42.5nC
- UFB15C12E1BC3N QG = 46nC
- UHB50SC12E1BC3N QG = 85nC
- UHB100SC12E1BC3N QG = 170nC
- 5V典型阈值电压VG(th),支持0至15V驱动
- 低内在电容
- HBM 2类和CDM C3类ESD保护
- 最高工作温度:+150°C
应用
- 电动车充电站
- 光伏逆变器
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正模块
- 感应加热
- 电机驱动器
视频
发布日期: 2024-02-07
| 更新日期: 2025-07-24

