onsemi SiC E1B模块

安森美  SiC E1B模块 具有独特的共源共栅电路,设有常开SiC JFET与Si MOSFET封装,因此是常关的SiC FET。SiC E1B系列提供类似硅的栅极驱动器,支持单极栅极驱动器,兼容Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET和Si超级结器件。这些安森美器件采用E1B模块封装,具有超低栅极电荷和出色的开关特性,因此非常适合用于硬开关和零电压开关软开关应用。该模块采用先进的银烧结芯片连接技术,可实现出色的功率循环和热性能。

特性

  • 典型导通电阻
    • UHB100SC12E1BC3N RDS(on) = 9.4mΩ
    • UHB50SC12E1BC3N RDS(on) = 19mΩ
    • UFB25SC12E1BC3N RDS(on) = 35mΩ
    • UFB15C12E1BC3N RDS(on) = 70mΩ
  • 出色的反向恢复性能
    • UFB15C12E1BC3N Qrr = 140nC
    • UFB25SC12E1BC3N Qrr = 244nC
    • UHB50SC12E1BC3N Qrr = 495nC
    • UHB100SC12E1BC3N Qrr = 1000nC
  • 低体二极管电压
    • UHB50SC12E1BC3N VFSD= 1.2V
    • UHB100SC12E1BC3N、UFB15C12E1BC3N、UFB25SC12E1BC3N VFSD = 1.4V
  • 低栅极电荷
    • UFB25SC12E1BC3N QG = 42.5nC
    • UFB15C12E1BC3N QG = 46nC
    • UHB50SC12E1BC3N QG = 85nC
    • UHB100SC12E1BC3N QG = 170nC
  • 5V典型阈值电压VG(th),支持0至15V驱动
  • 低内在电容
  • HBM 2类和CDM C3类ESD保护
  • 最高工作温度:+150°C

应用

  • 电动车充电站
  • 光伏逆变器
  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 功率因数校正模块
  • 感应加热
  • 电机驱动器

视频

应用电路

发布日期: 2024-02-07 | 更新日期: 2025-07-24