onsemi UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET

onsemi UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET是基于独特级联电路配置的1200V、23mΩ 器件。在这种配置中，一个常开SiC JFET与一个Si MOSFET共同封装，从而产生一个常闭SiC FET器件。该器件的标准栅极驱动特性支持使用现成的栅极驱动器，因此在替代Si IGBT、Si超级结器件或SiC MOSFET时只需进行极少的重新设计工作。这些器件采用节省空间的D2PAK-7L封装（可实现自动装配），具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性。onsemi UF4SC120023B7S G4 SiC FET是开关电感负载和需要标准栅极驱动的应用的理想选择。