onsemi UG3SC 1200 V 7.6 mΩ组合FET
安森美UG3SC 1200V 7.6mΩ组合FET在单个TO-247-4L封装中集成了1200V SiC JFET和低压Si MOSFET。该设计可实现常闭开关，同时利用常开SiC JFET的优势。安森美UG3SC组合场效应晶体管（FET）具有超低导通电阻[RDS(on)]，可降低导通损耗，另外还具有电路保护应用中高能量开关所需的稳健性。
特性
- 个位数R DS(on)
- 常闭功能
- 提高速度控制
- 改进了并行器件运行 (3 + FET)
- 最高工作温度：+175°C
- 高脉冲电流能力
- 出色的器件稳健性
- 连接银烧结裸片，实现出色的热阻
应用
- 固态/半导体断路器
- 固态/半导体继电器
- 电池断开
- 浪涌保护
- 浪涌电流控制
- 大功率开关模式转换器（>25kW）
电路图
发布日期: 2024-09-30
| 更新日期: 2025-07-25