onsemi 宽禁带SiC器件
安森美 (onsemi) 宽禁带 (WBG) 碳化硅 (SiC) 器件采用全新技术，与硅器件相比，可提供更出色的开关性能和更高的可靠性。这些器件可实现多种系统优势，包括：提高系统效率、加快工作频率、提高功率密度、降低EMI、减小系统尺寸以及降低成本。安森美的SiC产品系列包括650V和1200V二极管、650V和1200V IGBT以及SiC二极管功率集成模块 (PIM)、1200V MOSFET和SiC MOSFET驱动器，以及符合AEC-Q100标准的器件。
特性
- 快速开关
- 低功耗
- 低导通电阻
- 更高的功率密度
- 更高的工作温度
- 更快的工作频率
- 更高的效率
- 无反向恢复电流
- 低EMI
- 减小了系统尺寸，降低了成本
- 更高的可靠性
- 紧凑型解决方案
- 重量轻
- 出色的散热性能
- 温度无关的开关特性
- 紧凑的芯片尺寸，可确保低电容和低栅极电荷
- 提供一个围绕WBG解决方案的独特生态系统：
- SiC二极管，坚固耐用
- SiC MOSFET，坚固耐用，速度快
- SiC驱动器，设计用于WBG器件
- 基于SPICE的物理模型，用于MOSFET和二极管
应用
- 太阳能升压转换器和逆变器
- 功率因数校正
- 电动汽车充电
- 不间断电源 (UPS)
- 服务器和电信电源
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发布日期: 2019-05-22
| 更新日期: 2026-04-29