TDK EP9 IGBT栅极驱动变压器
TDK EP9 IGBT栅极驱动变压器是紧凑型器件，采用MnZn铁氧体磁芯和SMD L形引脚结构。 该系列变压器具有出色的绝缘性能、极低的耦合电容和高热稳定性。EP9系列器件支持半桥或推挽拓扑结构，耦合电容低至2pF，电气间隙距离≥5mm（累计及磁芯浮空）。TDK EP9 IGBT栅极驱动变压器的工作频率范围为100kHz至400kHz，温度范围为-40°C至+150°C。此系列变压器符合RoHS与AEC-Q200标准，专为IGBT及FET栅极驱动电路而设计。典型应用包括隔离式DC-DC转换器、隔离式AC-DC转换器及栅极驱动电路。
特性
- 耦合电容低至2pF
- 高测试电压：2500VAC（50Hz、1秒；VAC）
- 工作频率范围：100 kHz至400 kHz
- 爬电距离和电气间隙≥5mm（累计及磁芯浮空）
- 工作温度范围：-40 °C至150 °C
- 占位面积：13mm x 11mm
- 采用卷带封装
- 符合 RoHS 标准
- 符合AEC-Q200标准（E版)
- B82804E0164A200：
- 半桥拓扑结构
- 1:2.8:1.53匝数比
- B82804E0473A200：
- 推挽式拓扑结构
- 匝数比：1:2.9:1
应用
- 逆变器系统的IGBT/MOSFET栅极驱动变压器
- 系统电压为500V的电动出行与工业应用
- 推挽转换器
- DC-DC转换器辅助变压器
- 直流/直流电源
示例套件
B82804X0001样品套件是一款EP9 L形引脚套件，适用于IGBT栅极驱动变压器。此套件的工作温度范围为-40°C至+150°C，已通过AEC-Q200认证。B82804X0001样品套件适用于一般汽车应用。
尺寸
其他资源
发布日期: 2024-12-10
| 更新日期: 2026-04-01