Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片
Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片采用Qorvo经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺。该工艺经过实践验证，在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。
Qorvo QPD2018D 180um分立式GaAs pHEMT裸片的工作频率范围为直流至20GHz。QPD2018D通常在P1dB时提供22dBm输出功率，增益为14dB，在1dB压缩时功率附加效率为55%，因此非常适合用于高效率应用。该器件采用带氮化硅的保护层，可提供环境稳健性和防刮痕保护。
特性
- 工作频率范围：直流至20GHz
- P1dB输出功率：22dBm（典型值）
- 增益：14dB（12GHz时典型值）
- PAE：55%（12GHz时典型值）
- NF：1dB（12GHz时典型值）
- 无通孔
- 0.25um GaAs pHEMT技术
- 芯片尺寸：0.41mm x 0.34mm x 0.10mm
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 通信
- 雷达
- 点对点无线电
- 卫星通信
发布日期: 2022-02-07
| 更新日期: 2022-03-11