Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT

Qorvo QPD2560L 300W GaN/SiC HEMT是一款大功率GaN-on-SiC高电子迁移率晶体管（HEMT），设计用于满足L频带应用需求，工作频率范围为1.0GHz至1.5GHz。Qorvo QPD2560L经过精心设计，可提供强大的RF性能，饱和输出功率高达55.4dBm，大信号增益为15dB，漏极效率为65%，因此该HEMT非常适合连续波（CW）和脉冲操作。

该器件具有内部预匹配输入，以简化外部匹配要求并减少电路板空间，同时输出保持未匹配，以提供设计灵活性。QPD2560L采用坚固的NI-650行业标准空气腔封装，针对L频带军用和民用雷达、电子战、专业通信、ISM应用以及宽频/窄频大功率放大器进行了优化。该器件的长脉冲能力和高耐热性可进一步增强其在关键任务RF系统中的适用性。