Renesas Electronics RAA226110低侧驱动器
Renesas Electronics RAA226110低侧驱动器设计用于驱动采用隔离和非隔离拓扑的增强模式氮化镓 (GaN) FET。RAA226110的工作电源电压范围为6.5V至18V。它具有反相 (INB) 和同相 (IN) 输入，以满足单器件反相和同相栅极驱动器的要求。
特性
- 宽工作电压范围：6.5V至18V
- 高达18V逻辑输入（无论VDD电平如何）
- 反相和同相输入
- 优化用于驱动增强模式GaN FET
- 内部5.8V稳压栅极驱动电压
- 独立输出，可实现 可调节的导通/关断速度
- 源电流可编程设定：0.3A、0.75A、2A
- 过流保护，可调节阈值 为40mV、80mV、120mV
- 故障引脚和过热保护
- 工作温度范围：-40°C至+125°C
- 反激式和正激式转换器
- 升压和PFC转换器
- 二次同步FET驱动器
应用
- 开关模式电源
- GaN FET驱动器应用
发布日期: 2021-09-01
| 更新日期: 2022-03-11