Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）
Renesas Electronics TP65B110HRU双向开关（BDS）是一款650V、110mΩ常关型氮化镓（GaN）双向开关（BDS），采用紧凑型TOLT封装。该BDS可实现双向电流导通与电压阻断，其内结合了高压耗尽型GaN器件与低压常关型硅MOSFET。TP65B110HRU BDS基于SuperGaN® 第一代双向平台而打造。该BDS具有卓越性能、标准栅极驱动兼容性、易集成性及高可靠性。TP65B110HRU BDS采用突破性集成功能，从而减少元器件数量、降低成本、缩小占位面积。该BDS支持超快开关、高效率和更高的功率密度，是MHz级操作和紧凑型磁性器件的理想选择。典型应用包括光伏逆变器、电池充电器、AI数据中心和电信电源、电机驱动器和UPS。
特性
- 超快切换，用于高效率和高功率密度的转换器
- 比背对背单向开关占位面积更小，成本更低
- 在包括AC和DC在内的最广泛运行条件下均能可靠运行。
- 绝缘栅极，阈值高
- 内置低电压降的自由轮换二极管
- 可忽略的反向恢复电荷
- 低栅极电荷 (Qg) 和低输出电荷 (Qoss)
- 高dv/dt抗噪性
- 软开关和硬开关能力
- 瞬态过电压能力
- DC偏置耐受能力
- 2kV ESD能力（HBM和CDM）
- 符合JEDEC
- 符合RoHS标准且无卤素封装
应用
- 光伏逆变器
- 电池充电器
- 电机驱动器
- AI数据中心和电信电源
- UPS
规范
- 650Vpk VSS(AC)关闭状态S1和S2之间的连续AC电压（TJ = -55°C到150°C）
- ±650V VSS (DC) 关闭状态S1和S2之间的连续DC电压（TJ = -55°C到150°C）
- ±800V VSS（TR）关闭状态下S1和S2之间的瞬态电压（<>
- ±12V VGS,max 连续栅极到源极电压
- ±20V VGS,max（TR）瞬态栅极到源极电压
- 156W PD最大功率耗散（TC=25°C时）
- -55°C至150°C存放温度
- 3V典型VGS(th)栅极阈值电压
典型输出特征
示例应用（太阳能微逆变器）
Single-Stage DAB-Based Solar Microinverter
相关套件
Renesas Electronics RTDACHB0000RS-MF-1 评估套件
支持灵活的GaN BDS调制和操作实验。
发布日期: 2026-03-16
| 更新日期: 2026-07-06