Renesas Electronics 650 V 34 A GaN FET

Renesas Electronics 650V 34A GaN（氮化镓）FET是常关型器件，采用Renesas Electronics第四代平台。 此系列FET集高压GaN HEMT和低压硅MOSFET于一体。第四代SuperGaN®平台采用先进的外延工艺和专利设计技术，不仅简化了制造流程，还通过降低栅极电荷、输出电容、开关交叉损耗和反向恢复电荷，实现了高于硅基器件的效率。与传统硅基FET相比，GaN FET有着先天的优越性能，具备更快的开关速度和更优的热性能。