ROHM Semiconductor 600V第四代PrestoMOS Super Junction MOSFET
ROHM Semiconductor 600V第四代PrestoMOS™超级结MOSFET利用原创专利技术加速寄生二极管，获得超快反向恢复特性 实现低功耗。 与IGBT实施相比，PrestoMOS设计在轻负载时可将功率损耗降低约58%。此外，提高开启MOSFET所需的参考电压可防止自导通（这是造成损耗的主要原因之一）。经过优化的内置寄生二极管改善了Super Junction MOSFET的软恢复指数，可降低可能导致故障的噪声。
ROHM Semiconductor 600V第四代PrestoMOS Super Junction MOSFET是N沟道器件，具有71mΩ至114mΩ低导通电阻、9A至77A连续漏极电流和120V/ns MOSFET dv/dt。这些MOSFET提供有TO-220FM-3、TO-220AB-3和TO-247-3封装类型，具有-55℃至+150℃宽工作结温和储存温度范围。
特性
- 超快速反向恢复时间 (trr)
- 600V漏源电压 (VDSS)
- 连续漏极电流 (ID) ：9A至77A
- 栅极-源极电压 (VGSS) ：-30V、+30V
- 低导通电阻 (RDS(on))：71mΩ至114mΩ
- 120V/ns MOSFET dv/dt
- 快速开关
- 功率耗散 (PD)：61W至781W
- 工作结温和储存温度范围（TJ、Tstg）：-55°C至+150℃
- TO-220FM-3、TO-220AB-3和TO-247-3封装选项
- 无铅，符合RoHS指令
应用
- 开关应用
- 电机驱动应用
应用笔记
资源
原理图和封装选项
PrestoMOS优势
发布日期: 2022-03-28
| 更新日期: 2023-01-11