ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET
ROHM Semiconductor 600V超接合点（SJ）MOSFET旨在满足广泛应用中对更小、更高效电源日益增长的需求。这些SJ MOSFET设计用于R60xxXNx系列和PrestoMOS™ R60xxWNx系列的新型600V SJ MOSFET。 600V SJ MOSFET具有紧凑、扁平封装选项，可提供出色的散热性能。这使得这些器件非常适合需要节省空间和更高功率密度的应用，包括AI服务器和工业设备的电源。
R60xxXNx系列和PrestoMOS™ R60xxWNx系列在现有封装的基础上增加了表面贴装DFN8080-5L（8.0mmx8.0mmx0.85mm）和TOLL（11.68mmx9.9mmx2.3mm）装。需要打开MOSFET的栅极阈值电压（VGS(th)）设置为标准产品中使用的3V至5V范围，从而可支持广泛的驱动条件。
特性
- 用于高速切换的R60xxXNx系列
- PrestoMOS™ R60xxWNx系列具有高速恢复特性
- 11.68mmx9.9mmx2.3mm表面贴装TOLL封装选项
- 8.0mmx8.0mmx0.85mm表面贴装DFN8080-5L封装选项
- 紧凑扁平封装设计
- 在现有封装基础上增加了新的封装选项
- 出色的散热性能
- 栅极阈值电压（VGS(th)）范围为3V至5V
- 改进的通量特性
- 与标准产品兼容的接地模式
应用
- AI服务器电源
- 数据中心电源
- 工业设备电源
- 消费电子设备电源
- LLC转换器
- PFC电路
- 反激电源
- 电机
- 风扇逆变器
- AC伺服电机
发布日期: 2026-07-14
| 更新日期: 2026-07-21