ROHM Semiconductor 650V GaN HEMT功率级评估板
ROHM Semiconductor 650V GaN HEMT功率级评估板用于评估650V GaN HEMT功率级IC。ROHM Semiconductor BM3G007MUV-EVK-003板由BM3G007MUV（GaN FET（650V 70mΩ）、集成驱动器和保护电路）以及安装外围组件的电路板组成。 BM3G015MUV-EVK-003评估板由BM3G015MUV（GaN FET（650V 150mΩ）、集成驱动器和保护电路）以及安装外围组件的电路板组成。BM3G007MUV-EVK-002参考板将90Vac至264Vac输入变为400V输出电压。
特性
- BM3G007MUV-EVK-002
- 从90Vac至264Vac输入输出400V电压。
- 输出电流电源高达0.6A
- 内置GaN HEMT (650V 70mΩ)、 驱动器和保护装置电路
- 氮化镓功率级可实现最大97.8%的效率
- BD7695FJ，即采用了BCM法PFC控制器IC
- BD7695FJ提供的系统适用于所有需要PFC的产品。
- PFC部分使用BCM，而零电流检测则降低了开关损耗和噪声
- THD典型值为是8.4%
- BM3G015MUV-EVK-003
- 由BM3G015MUV（GaN FET 650V 150mΩ）、集成驱动器和保护电路以及安装外围元件的电路板组成
- 集成电路的设计适用于现有的主要控制器，因此也可用于取代传统的分立电源开关，如超级结MOSFET
- BM3G007MUV-EVK-003
- 由BM3G007MUV（GaN FET 650V 70mΩ）、集成驱动器和保护电路以及安装外围元件的电路板组成
- 集成电路的设计适用于现有的主要控制器，因此也可用于取代传统的分立电源开关，如超级结MOSFET
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ROHM Semiconductor Nano Cap™ 650V GaN HEMT功率级IC
设计用于要求苛刻的电子系统，将高功率密度和效率完美结合。
发布日期: 2023-07-19
| 更新日期: 2026-01-20