ROHM Semiconductor 750V N沟道SiC MOSFET
ROHM Semiconductor 750V N通道SiC MOSFET可提升开关频率，因此减少所需的电容器、电抗器以及其他组件的数量。这些SiC MOSFET采用TO-247N、TOLL、TO-263-7L、TO-263-7LA和TO-247-4L封装。此系列器件的静态漏源导通电阻（RDS(on)）额定值为13mΩ至65mΩ（典型值），连续漏极电流（ID）和源极电流（IS）范围为22A至120A（TC=25°C时）。这些ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高速开关特性，充分利用了SiC技术的独特优势。
特性
- 低导通电阻
- 开关速度快
- 快速反向恢复
- 易于并联
- 易于驱动
- 引线无铅镀层
- 符合 RoHS 要求
- 潮湿敏感度等级 (MSL) 1
- 符合AEC-Q101标准（仅限AHR后缀）
应用
- 汽车级（仅限AHR后缀）
- 太阳能逆变器
- 直流-直流转换器
- 开关电源 (SMPS)
- 不间断电源 (UPS)
- 感应加热
- 储能与电池形成
- 电机驱动器
封装
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| 物料编号 | 数据表 | 封装 / 箱体 | Rds On-漏源导通电阻 | Id-连续漏极电流 | Pd-功率耗散 | Qg-栅极电荷 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SCT4026DW7TL |  |
TO-263-7 | 26 mOhms | 51 A | 150 W | 94 nC |
| SCT4026DEC11 | |
TO-247N-3 | 26 mOhms | 56 A | 176 W | 94 nC |
| SCT4026DRC15 | |
TO-247-4 | 26 mOhms | 56 A | 176 W | 94 nC |
| SCT4013DRC15 | |
TO-247-4 | 16.9 mOhms | 105 A | 312 W | 170 nC |
| SCT4045DW7TL | |
TO-263-7 | 59 mOhms | 31 A | 93 W | 63 nC |
| SCT4036DEC11 | |
TO-247N-3 | 47 mOhms | 42 A | 136 W | 72 nC |
| SCT4036DRC15 | |
TO-247-4L | 47 mOhms | 42 A | 136 W | 72 nC |
| SCT4036DWAHRTL | |
TO-263-7LA | 47 mOhms | 38 A | 115 W | 72 nC |
| SCT4065DLLTRDC | |
TOLL-9 | 26 A | 100 W | 48 nC | |
| SCT4026DWAHRTL | |
TO-263-7 | 26 mOhms | 51 A | 150 W | 94 nC |
发布日期: 2025-10-08
| 更新日期: 2025-11-04