ROHM Semiconductor BM6021x高侧和低侧驱动器
ROHM Semiconductor BM6021x高侧和低侧驱动器可在高达1200V电压下工作，进行自举操作，可驱动N沟道功率MOSFET和IGBT。BM6021x高侧和低侧驱动器内置米勒钳位和欠压闭锁 (UVLO) 功能。ROHM Semi BM6021x高压、高侧和低侧驱动器设计用于MOSFET栅极驱动器和IGBT栅极驱动器应用。
特性
- 符合 AEC-Q100
- 1200V高侧浮动电源电压1200V
- 有源米勒钳位
- 欠压锁定功能
- 3.3 V和5.0 V输入逻辑兼容
应用
- MOSFET栅极驱动器
- IGBT栅极驱动器
典型应用电路
视频
其他资源
相关产品
ROHM Semiconductor Automotive Gate Drivers
Compact, robust, and reliable isolated gate drivers, optimized for use with SiC power MOSFETs.
相关评估板
ROHM Semiconductor BM60213FV-EVK001评估板
驱动IGBT功率器件，用于半桥应用中的高侧和低侧。
ROHM Semiconductor BM60212FV-EVK001评估板
驱动IGBT功率器件，用于半桥应用中的高侧和低侧。
ROHM Semiconductor 汽车栅极驱动器评估板
设计用于轻松开发基于ROHM栅极驱动器的应用的演示板。
发布日期: 2020-11-02
| 更新日期: 2024-10-22