ROHM Semiconductor BSS84X HZG小信号MOSFET

ROHM Semiconductor BSS84X HZG小信号MOSFET采用无引线超小型封装,具有裸露漏极焊盘,可实现出色的导热性能。BSS84X HZG小信号MOSFET具有-60V漏源电压、 ±230mA连续漏极电流以及1.0W功耗。BSS84X HZG设计用于开关电路、高侧负载开关和继电器驱动器应用。

ROHM BSS84X HZG小信号MOSFET采用DFN1010-3W封装,符合AEC-Q101标准。

特性

  • 无引线超小型裸露漏极焊盘,采用出色的导热SMD塑料封装 (1.0mm x 1.0mm x 0.4mm)
  • 侧面可湿性侧翼,用于自动光学焊接检测(AOI)
  • 镀锡的100%可焊接侧焊盘确保最小厚度为125μm
  • 符合 AEC-Q101
  • -4.5V驱动

应用

  • 开关电路
  • 高侧负载开关
  • 继电器驱动器

规范

  • 漏极-源极电压:-60V
  • 5.3Ω最大静态漏极源导通状态电阻
  • 连续漏极电流:±230mA
  • 功率耗散:1.0W

典型应用电路

应用电路图 - ROHM Semiconductor BSS84X HZG小信号MOSFET
发布日期: 2020-11-09 | 更新日期: 2024-10-23