ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT
ROHM Semiconductor GNP2x 650V增强模式氮化镓 (GaN) HEMT设计用于高性能电源转换应用。这些高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有高击穿电压和低栅极电荷GNP2x氮化镓 (GaN) HEMT具有高效率、大功率密度和快速切换能力。这些氮化镓 (GaN) HEMT具有8.5V瞬态栅极到源极电压，工作温度范围为-55°C至150°C。 典型应用包括高开关频率和高密度转换器。
特性
- 650 V增强模式GaN HEMT
- 电阻
- 50mΩ (GNP2050TEC-Z)
- 70 mΩ（GNP2070TEC-Z和GNP2070TD-Z）
- 130 mΩ（GNP2130TEC-Z）
- 栅极电荷
- 2.8nC（GNP2130TEC-Z）
- 4.7nC（GNP2070TEC-Z）
- 5.2nC（GNP2070TD-Z）
- 6.4nC（GNP2050TEC-Z）
- 800V瞬态漏极到源极电压
- 栅极至源极电压：-10V至6.5V
- 8.5V瞬态栅极至源极电压
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
- 封装：
- TOLL-8N（GNP2070TD-Z）
- DFN8080CK（GNP2050TEC-Z、GNP2070TEC-Z和GNP2130TEC-Z）
应用
- 高开关频率转换器
- 高密度转换器
应用电路图
发布日期: 2025-01-07
| 更新日期: 2025-10-09