ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管

ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA齐纳二极管采用小功率模塑封装 (PMDE)，适合电压调节应用。这些设备的齐纳电压 [V_Z(V)] 在5.0mA [I_Z(mA)] 时为8.02（最小值）和8.36（最大值）。ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5mA的最大耗散功率 (P_D) 为1000mW，最大结温 (T_j) 为+150°C。这些设备提供汽车版本 (JMZVTF8.2B)，符合AEC-Q101认证要求。