ROHM Semiconductor QH8M双N沟道+P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor QH8M双N沟道+P沟道小信号MOSFET支持40V或60V耐压，在一个小型表面贴装TSMT8封装中集成了超低导通电阻N沟道+P沟道MOSFET。该系列设计用于24V输入设备，例如工厂自动化设备和安装在基站上的电机（冷却风扇）。这些器件有助于降低设备的功耗。QH8MB5具有44mΩ/41mΩDS(on)最大值和±4.5A/±5A漏极电流ID，QH8MC5具有90mΩ/91mΩDS(on)最大值和±3A/3.5A漏极电流ID。ROHM Semiconductor QH8M双N沟道+P沟道小信号MOSFET具有1.5W功耗，采用无铅电镀，符合RoHS指令。QH8M系列非常适合用于开关应用。
特性
- 双通道Nch+Pch极性
- 8个端子
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装 (TSMT8)
- 非常适合用于开关应用
- 无铅镀层
- 符合RoHS指令
- 无卤
规范
- QH8MB5
- 漏极-源极电压 (VDSS)：40V/-40V
- RDS(on)：44mΩ/41mΩ（最大值）
- 漏极电流ID：±4.5A/±5A
- 功耗：1.5W
- QH8MC5
- 漏极-源极电压 (VDSS)：60V/-60V
- RDS(on)：90mΩ/91mΩ（最大值）
- 漏极电流ID：±3A/3.5A
- 功耗：1.5W
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发布日期: 2021-06-30
| 更新日期: 2022-03-11