ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET
ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET是一款N沟道MOSFET，设有低导通电阻，采用大功率封装。该器件具有20VDSS漏极-源极电压、3A连续漏极电流以及1W功耗。RA1C030LD MOSFET具有1.8V驱动电压、高达200V (MM) 静电放电 (ESD) 保护以及高达2kV (HBM) 电压。该MOSFET适合用于开关电路、单节电池应用和移动应用。RA1C030LD MOSFET是无铅、无卤、符合RoHS指令的器件。
特性
- 漏极-源极电压：20VDSS
- 连续漏极电流：3A
- 低导通电阻
- 大功率，小包装
- 晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)
- ESD保护高达200V (MM) 和高达2kV (HBM)
- N沟道和3端子
- 功耗：1W
- 驱动电压：1.8V
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS指令
- 无卤素
应用
- 开关电路
- 单节电池
- 移动设备
内部电路
外形尺寸
封装对比图
其他资源
发布日期: 2022-11-10
| 更新日期: 2023-01-13