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ROHM Semiconductor RF4L070BG N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF4L070BG N沟道功率MOSFET是一款60V、7.0A MOSFET，具有27.0mΩ低导通电阻，因此非常适合用于开关应用。RF4L070BG具有25.0ns（典型值）反向恢复时间和22.0nC（典型值）反向恢复电荷。该器件的功耗为2.0W，具有-55℃至+150℃宽工作结温和储存温度范围。

ROHM Semiconductor RF4L070BG N沟道功率MOSFET采用大功率、小型模具2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S (HUML2020L8) 封装，非常适合用于空间受限的应用。

特性

  • 低导通电阻 (RDS(on))：27.0mΩ
  • 漏极-源极电压 (VDSS)：60.0V
  • 连续漏极电流 (ID)：±7.0A
  • 脉冲漏极电流 (IDP)：+28.0A
  • 栅极-源极电压 (VGSS)：+20.0V
  • 雪崩电流，单脉冲 (IAS)：7.0A
  • 雪崩能量，单脉冲 (EAS)：4.0mJ
  • 功耗 (PD)：2.0W
  • 反向恢复时间 (trr)：25.0ns
  • 反向恢复电荷 (Qrr)：22.0nC
  • 工作结温和储存温度范围：-55℃至+150℃
  • 2.0mm x 2.0mm DFN2020-8S (HUML2020L8) 封装
  • 无铅镀层
  • 无卤，符合RoHS指令

应用

  • 开关

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引脚代号和内部电路

原理图 - ROHM Semiconductor RF4L070BG N沟道功率MOSFET

封装外形

机械图纸 - ROHM Semiconductor RF4L070BG N沟道功率MOSFET
发布日期: 2021-11-29 | 更新日期: 2022-03-11