ROHM Semiconductor RF7x汽车功率MOSFET

ROHM Semiconductor RF7x汽车功率MOSFET(包括RF7G、RF7L和RF7P变速)是设计用于要求苛刻的电源应用的高性能碳化硅 (SiC) 设备。这些MOSFET的电压额定值为1200V,因此ROHM RF7x MOSFET非常适合用于汽车逆变器、车载充电器和工业电力系统等高压环境。RF7G系列提供适合通用的均衡特性,而RF7L系列针对低传导损耗进行了优化,提高了电池管理和能量存储器连续运行场景的效率。RF7P系列具有出色的高速切换性能,非常适合需要快速响应的应用,例如电信设备和LED灯。在所有变速中,关键特性包括低导通电阻、快速切换性能、高可靠性和紧凑型封装,这使得汽车和工业部门的电源转换既高效又强大。

特性

  • 1200V电压额定值
  • SiC MOSFET技术
  • 低导通电阻(RDS(on)
  • 快速开关性能
  • 增强模式
  • N通道和P通道选项
  • 高可靠性
  • 紧凑型表面贴装DFN2020-8封装
  • 优化栅极电荷

应用

  • 通用型(RF7Gx)
    • 汽车逆变器
    • 车载充电器 (OBC)
    • DC/DC转换器
    • 工业电源
    • 电机驱动器
    • 可再生能源系统
    • UPS系统
    • Ev充电站
  • 高速开关型(RF7Px)
    • 消费类电子产品
    • LED灯
    • 低压电源
    • 便携设备
    • 物联网 (IoT) 应用
    • 电信设备
  • 低损耗型(RF7Lx)
    • 汽车电子设备
    • 电池管理系统
    • 传动系统控制
    • 工业自动化
    • 机器人技术
    • 智能电网基础设施
    • 储能系统

规范

  • 40V、60V和100V漏/源极击穿电压选项
  • 12A漏极连续电流
  • 18.5mΩ至119mΩ漏极/源极电阻范围
  • 2.5V或4V栅极-源极阈值电压选项
  • 23W耗散功率
  • 6.8nC到15.7nC栅极充电范围
  • 2.7S至4S最小正向跨导范围
  • 上升时间范围:6 ns至13 ns
  • 7ns至9ns典型接通延迟时间范围
  • 下降时间范围:4.7 ns至18 ns
  • 16ns至52ns典型关闭延迟时间范围
  • 工作温度范围:-55 °C至+150 °C

内部电路

应用电路图 - ROHM Semiconductor RF7x汽车功率MOSFET
发布日期: 2025-10-10 | 更新日期: 2025-10-17