ROHM Semiconductor RF7x汽车功率MOSFET
ROHM Semiconductor RF7x汽车功率MOSFET(包括RF7G、RF7L和RF7P变速)是设计用于要求苛刻的电源应用的高性能碳化硅 (SiC) 设备。这些MOSFET的电压额定值为1200V,因此ROHM RF7x MOSFET非常适合用于汽车逆变器、车载充电器和工业电力系统等高压环境。RF7G系列提供适合通用的均衡特性,而RF7L系列针对低传导损耗进行了优化,提高了电池管理和能量存储器连续运行场景的效率。RF7P系列具有出色的高速切换性能,非常适合需要快速响应的应用,例如电信设备和LED灯。在所有变速中,关键特性包括低导通电阻、快速切换性能、高可靠性和紧凑型封装,这使得汽车和工业部门的电源转换既高效又强大。特性
- 1200V电压额定值
- SiC MOSFET技术
- 低导通电阻(RDS(on))
- 快速开关性能
- 增强模式
- N通道和P通道选项
- 高可靠性
- 紧凑型表面贴装DFN2020-8封装
- 优化栅极电荷
应用
- 通用型(RF7Gx)
- 汽车逆变器
- 车载充电器 (OBC)
- DC/DC转换器
- 工业电源
- 电机驱动器
- 可再生能源系统
- UPS系统
- Ev充电站
- 高速开关型(RF7Px)
- 消费类电子产品
- LED灯
- 低压电源
- 便携设备
- 物联网 (IoT) 应用
- 电信设备
- 低损耗型(RF7Lx)
- 汽车电子设备
- 电池管理系统
- 传动系统控制
- 工业自动化
- 机器人技术
- 智能电网基础设施
- 储能系统
规范
- 40V、60V和100V漏/源极击穿电压选项
- 12A漏极连续电流
- 18.5mΩ至119mΩ漏极/源极电阻范围
- 2.5V或4V栅极-源极阈值电压选项
- 23W耗散功率
- 6.8nC到15.7nC栅极充电范围
- 2.7S至4S最小正向跨导范围
- 上升时间范围:6 ns至13 ns
- 7ns至9ns典型接通延迟时间范围
- 下降时间范围:4.7 ns至18 ns
- 16ns至52ns典型关闭延迟时间范围
- 工作温度范围:-55 °C至+150 °C
内部电路
发布日期: 2025-10-10
| 更新日期: 2025-10-17
