ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A场终止沟槽型IGBT
ROHM Semiconductor RGSX5TS65 650V 75A场终止沟槽型IGBT具有低集电极-发射极饱和电压。RGSX5TS65的短路耐受时间为8μs。它符合AEC-Q101标准，采用无铅电镀。
特性
- 低集极-射极饱和电压
- 短路耐受时间：8μs
- 符合 AEC-Q101 标准
- 无铅电镀；符合RoHS指令
应用
- 车用加热器
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 |
|---|---|---|
| RGSX5TS65HRC11 |  |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65DHRC11 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65EGC11 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT |
| RGSX5TS65EHRC11 | |
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT |
发布日期: 2021-07-19
| 更新日期: 2022-03-11