ROHM Semiconductor RGT20NL65场终止沟槽型IGBT
ROHM Semiconductor RGT20NL65场终止沟槽型IGBT具有低集电极-发射极饱和电压，非常适合用于一般逆变器、UPS、功率调节器和焊接应用。ROHM RGT20NL65场终止沟槽型IGBT的短路耐受时间为5μs。此外，该器件的指定栅极-发射极电压为±30V，集电极电流为20A（25°C时）。
特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 低开关损耗
- 短路耐受时间：5µs
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS指令
应用
- 一般逆变器
- UPS
- 功率调节器
- 焊接设备
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ROHM Semiconductor Field Stop Trench IGBTs
High-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications.
封装类型
发布日期: 2021-03-31
| 更新日期: 2022-03-11