ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30V P沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为-30V、额定漏极电流 (ID) 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。此款MOSFET的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 为7.52mΩ（最大值，VGS = -10V、ID = -20A时）或11.3mΩ（最大值，VGS = -4.5V、ID = -10A时）。总栅极电荷 (Qg) 为65.0nC（典型值，VDD = -15V、ID = -10A、VGS = -10V时）。ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明和车身应用。
特性
- 可湿性侧翼产品
- 符合 AEC-Q101
- 100% 经雪崩测试
应用
- ADAS
- 信息
- 照明
- 车身
规范
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
- 7.5mΩ（最大值，VGS = -10V、ID = -20A时）
- 11.3mΩ（最大值，VGS = -4.5V、ID = -10A时）
- 耗散功率 (PD)：75W
- 总栅极电荷 (Qg)
- 65.0nC（典型值，VDD = -15V、ID = -10A、VGS = -10V时）
- 34.0nC（典型值，VDD = -15V、ID = -10A、VGS = -4.5V时）
- 结温 (Tj)：+175°C
电路图
封装图
发布日期: 2025-07-23
| 更新日期: 2025-08-19