ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N沟道功率MOSFET
ROHM Semiconductor RH7L03 60V N沟道功率MOSFET是一款车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为60V、额定漏极连续电流 (ID) 为±35A，符合AEC-Q101认证要求。这款MOSFET的漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为26.4mΩ（最大值，VGS = 10V、ID = 20A时），采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7L03 MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明及车身应用。
特性
- 可湿性侧翼产品
- 符合 AEC-Q101
- 100% 经雪崩测试
应用
- ADAS
- 信息
- 照明
- 车身
规范
- 最大栅源电压 (VGSS)：±20V
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
- 26.4mΩ（最大值，VGS = 10V、ID = 20A时）
- 42mΩ（最大值，VGS = 4.5V、ID = 10A时）
- 耗散功率 (PD)：33W
- 总栅极电荷 (Qg)
- 6.8nC（典型值，VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 10V时）
- 3.7nC（典型值，VDD = 30V、ID = 10A、VGS = 4.5V时）
- 结温 (Tj)：+175°C
电路图
封装图
发布日期: 2025-07-24
| 更新日期: 2025-08-19