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ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH7L04 60V N沟道功率MOSFET为车规级MOSFET，其额定漏源电压 (VDSS) 为60V，额定漏极连续电流 (ID) 为±40A，符合AEC-Q101认证要求。这些MOSFET具有低漏源导通电阻 [RDS(ON)]，采用3.3mm x 3.3mm DFN-8 (DFN3333T8LSAB) 封装。ROHM Semiconductor RH7L04 MOSFET非常适用于高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息、照明和车身应用。

特性

  • 可湿性侧翼产品
  • 符合 AEC-Q101
  • 100% 经雪崩测试

应用

  • ADAS
  • 信息
  • 照明
  • 车身

规范

  • 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
    • RH7L04BBKFRA 的产品评估板
      • 6.4mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 20A时）
      • 9.9mΩ（最大值，VGS = 4.5V，ID = 10A时）
    • RH7L04CBKFRA 的产品评估板
      • 10.6mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 20A时）
      • 16.0mΩ（最大值，VGS = 4.5V，ID = 10A时）
    • RH7L04CBLFRA 的产品评估板
      • 10.6mΩ（最大值，VGS = 10V，ID = 20A时）
      • 14.8mΩ（最大值，VGS = 4.5V，ID = 10A时）
  • 耗散功率 (PD)
    • RH7L04BBKFRA：75 W
    • RH7L04CBKFRA：62 W
    • RH7L04CBLFRA：64 W
  • 总栅极电荷 (Qg)
    • RH7L04BBKFRA 的产品评估板
      • 21nC（典型值，VDD = 30V，ID = 10A，VGS = 10V时）
      • 105nC（典型值，VDD = 30V，ID = 10A，VGS = 4.5V时）
    • RH7L04CBKFRA 的产品评估板
      • 13.6nC（典型值，VDD = 30V，ID = 10A，VGS = 10V时）
      • 6.6nC（典型值，VDD = 30V，ID = 10A，VGS = 4.5V时）
    • RH7L04CBLFRA 的产品评估板
      • 13.6nC（典型值，VDD = 30V，ID = 10A，VGS = 10V时）
      • 6.6nC（典型值，VDD = 30V，ID = 10A，VGS = 6.0V时）
  • 结温 (Tj)：+175°C

电路图

原理图 - ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET

封装图

机械图纸 - ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N通道功率MOSFET
发布日期: 2025-07-24 | 更新日期: 2025-08-19