ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG功率MOSFET为N沟道功率MOSFET，采用大功率封装，具有低导通电阻特性。 RJ1G10BBG和RJ1L10BBG功率MOSFET的漏源电压分别为40V和60V，漏极连续电流分别为 ±280A和 ±240A，耗散功率为192W。RJ1x10BBG功率MOSFET符合RoHS标准。此系列功率MOSFET采用无铅镀层，不含卤素，且100%经过Rg和UIS测试。RJ1x10BBG功率MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C。典型应用包括开关、电机驱动器和DC/DC转换器。
特性
- 低导通电阻
- 大功率封装（TO263AB）
- 无铅镀层
- 符合RoHS指令
- 无卤素
- 经100% Rg和UIS测试
规范
- 漏源电压：
- RJ1G10BBG：40VDSS
- RJ1L10BBG：60VDSS
- RDS(ON) （最大值）：
- RJ1G10BBG：1.43mΩ
- RJ1L10BBG：1.85mΩ
- 热阻：0.65°C/W
- 脉冲漏极电流：±900 A
- 70 A雪崩电流
- 栅源电压：±20V
- 工作温度范围：-55 °C至150 °C
应用
- 交换
- 电机驱动器
- DC/DC转换器
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| 物料编号 | 数据表 | 下降时间 | 正向跨导 - 最小值 | Id-连续漏极电流 | Qg-栅极电荷 | Rds On-漏源导通电阻 | 上升时间 | Vds-漏源极击穿电压 | 最小工作温度 | 最大工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJ1G10BBGTL1 |  |
340 ns | 70 S | 280 A | 210 nC | 1.43 mOhms | 64 ns | 40 V | - 55 C | + 150 C |
| RJ1L10BBGTL1 | |
140 ns | 64 S | 240 A | 160 nC | 1.85 mOhms | 31 ns | 60 V | - 55 C | + 150 C |
发布日期: 2025-07-29
| 更新日期: 2025-08-21